型号：  Zeiss Supra55+Raith图形发生器
厂家：德国Zeiss和 Raith公司
技术指标: 
  SEM分辨率：2 nm 
 最小线宽：10 nm
 单个单元的最大尺寸400um*400um

主要功能及应用范围：
    采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为12nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直写高精度的光刻模板。如可用于制作下列器件与结构：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体与左手材料等。